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產品詳情
  • 產品名稱:三代像增強器

  • 產品型號:EPM101G-01-11
  • 產品廠商:俄羅斯
  • 產品價格:0
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簡單介紹:
EPM101G-01-11三代像增強器的特征是采用砷化鎵光陰極和帶有防離子反饋膜的微通道板。防離子反饋膜可以防止正離子反饋,減小反饋離子對光電陰極的轟擊,延長了三代像增強器的壽命。
詳情介紹:

微光像增強器

微光像增強器是微光夜視系統的核心部件。整個微光夜視系統包括光學成像鏡頭組、微光像增強器、后置處理系統。其中微光像增強器為重要的一環 。迄今為止已經出現了一代微光像增強器、二代像增強器、三代像增強器。不同代的微光像管構造不同,但主要包括如下部分:光陰極(Photocathode)、防離子反饋膜(Ion Barrier Film)、微通道板(Micro Channel Plate)和熒光屏(Fluorescent Screen)。整個管子為真空器件。

三代像增強器

砷化鎵負電子親和勢(NEA)光陰極的發展在微光領域引發了一場巨大的**。這類Ⅲ-Ⅴ族半導體光陰極的顯著特點就是靈敏度高,可通過陰極材料組分和結構設計,滿足紅外相應的波段。將透射式GaAs光陰極和帶三氧化二鋁防離子反饋膜的長壽命、低噪聲微通道板和熒光屏構成的雙近貼結構,即為第三代微光像增強器(三代管)。與二代管相比,三代像增強器靈敏度增加了4-8倍,壽命延長了3倍多,對夜間星光光譜的利用率顯著提高。第三代像增強器于70年代初開始研究,80年代美軍開始裝備**。俄羅斯KATOD可生產像增強管的280多種改型。眾多的設計解決方案和不同級別的電子管技術參數可確保滿足苛刻客戶生產夜視設備的要求。


三代像增強器技術參數

F

S

A

B

測量單位

有效直徑

17,5

mm

光電陰極類型

GaAs砷化鎵

 

輸出窗口的材料

FOE,倒像, 凹面 R=40 mm

 

熒光粉

P43 (可選 P22 P45 *)

 

分辨率 

68

64

60

57

lp/mm

感光度:

光通量,Min

2000

1800

1800

1600

μA/lm

850nm,Min

190

180

170

160

mA/W

增益,Min

35 000 – 80 000 **

lm/lm

輸出亮度Max

2 – 14 **

cd/m2

等效背景照度

0,25

μlx

信噪比(108 μlx) min

27

24

23

22

 

輸入電流

20

mA

輸入電壓

2,0 ÷ 3,6

V

重量

85

g

壽命

10 000

h

三代像增強器附加選項(客戶定制)

外部增益控制

 

防震設計

 

自動門控電源


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